Almaz istiliyi ən yaxşı keçirən materiallardan biri hesab olunur. Lakin onun yüksək sərtliyi emal prosesini çətinləşdirir. Bu səbəbdən yüksək güclü elektron sistemlərdə istiliyin idarə olunması uzun illərdir əsas problemlərdən biri olaraq qalır.
Söhbət qallium nitrid əsaslı tranzistorlardan (radar və 5G qurğularında istifadə olunur), həmçinin süni intellekt sistemlərini dəstəkləyən məlumat mərkəzlərinin prosessorlarından gedir.
ABŞ-da fəaliyyət göstərən Rice Universitynin alimləri professor Pulickel Ajayanın rəhbərliyi ilə bu sahədə yeni yanaşma tətbiq ediblər. Əvvəllər istifadə olunan “yuxarıdan aşağı” metodunda əvvəlcə bütöv almaz təbəqəsi yetişdirilir, sonra isə ondan lazımi forma kəsilirdi. Bu proses həm ləng, həm də riskli idi.
Tədqiqatçılar isə “aşağıdan yuxarı” üsuldan istifadə edərək almaz örtüyünü birbaşa elektron komponentlərin üzərində lazımi formada böyütməyə nail olublar. Bunun üçün mikrodalğalı plazma ilə qaz fazasından kimyəvi çökdürmə texnologiyası tətbiq edilib.
Kristalların harada formalaşacağını idarə etmək üçün iki üsuldan istifadə olunub:
- Kiçik detallar üçün fotolitoqrafiya
- Böyük lövhələr üçün xüsusi plyonkanın lazerlə kəsilməsi və nanoalmaz “toxumları”nın yerləşdirilməsi
Bu metod sayəsində prosesi iki düymlük lövhələrə qədər miqyaslandırmaq mümkün olub.
Nəticədə elektron qurğuların iş temperaturu 23°C azaldılıb. Alimlər bildirirlər ki, bu göstərici cihazların xidmət müddətini uzada və onların daha sürətli işləməsinə imkan yarada bilər.
Maraqlıdır ki, ideya əvvəlcə universitetin simvolu olan “almaz bayquş” suvenirini hazırlamaq cəhdindən yaranıb. Sonradan bu bədii texnika praktik tətbiq taparaq elektronikanın istilik tənzimlənməsində istifadə olunub.
Tədqiqat müəllifləri hesab edirlər ki, almaz əsaslı soyutma texnologiyası gələcəkdə daha sürətli, etibarlı və uzunömürlü elektron cihazların yaradılmasına imkan verəcək.
Mənbə: mail.ru